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J-GLOBAL ID：200903020092276801

半導体装置の製造方法

Inventor： ▲高▼橋 向星 ,  細田 昌宏 ,  菅 康夫 ,  角田 篤男 ,  谷 健太郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136882
Publication number (International publication number)：1993335235
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 分子線エピタキシー法により、リンを含む材料を蒸発セルで蒸発させた後、所定の加熱領域を通して基板上に供給して、上記基板にAlGaInP系結晶を成長させる場合に、結晶性を良好にする。【構成】 上記加熱領域で、上記リンを700°C以上900°C未満の温度に加熱する。これにより、4原子分子P4と2原子分子P2との両方を適度の割合で基板に供給する。

Claim (excerpt)：

分子線エピタキシー法により、リンを含む材料を蒸発セルで蒸発させた後、所定の加熱領域を通して基板上に供給して、上記基板にAlGaInP系結晶を成長させる半導体装置の製造方法において、上記加熱領域で、上記リンを700°C以上900°C未満の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-278129
  
• 特開平4-005819
  
• 特開平4-025120