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J-GLOBAL ID:200903020092296047
半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 隆久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000252922
Publication number (International publication number):2002076272
Application date: Aug. 23, 2000
Publication date: Mar. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】レジスト除去液によるキャパシタ誘電体層のエッチングを抑制し、特性の安定したキャパシタ素子を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に下部電極を形成する工程と、下部電極上に誘電体層を形成する工程と、レジストをマスクとするエッチングにより誘電体層のパターニングを行う工程と、硫酸と過酸化水素を含む溶液を加熱する工程と、所定量、好適には過酸化水素濃度が3.5wt%以下となるような量の過酸化水素を溶液に補充する工程と、補充の直後に、レジストを含む半導体基板を溶液に浸漬し、レジストを除去する工程と、誘電体層上に上部電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt):
半導体基板に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に誘電体層を形成する工程と、レジストをマスクとするエッチングにより前記誘電体層のパターニングを行う工程と、硫酸と過酸化水素を含む溶液を加熱する工程と、所定量の過酸化水素を前記溶液に補充する工程と、前記補充の直後に、前記レジストを含む前記半導体基板を前記溶液に浸漬し、前記レジストを除去する工程と、前記誘電体層上に上部電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (5):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, G03F 7/42
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (4):
G03F 7/42
, H01L 27/04 C
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/306 D
F-Term (21):
2H096AA25
, 2H096HA23
, 2H096HA30
, 2H096LA03
, 5F038AC03
, 5F038AC05
, 5F038AC17
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
, 5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043CC16
, 5F043DD15
, 5F043DD30
, 5F043EE23
, 5F043EE27
, 5F043FF01
, 5F046MA02
, 5F046MA03
, 5F046MA06
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