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J-GLOBAL ID：200903020093124452

半導体ウェハ及びその製造方法

Inventor： 福永 寿也
Applicant, Patent owner： 九州コマツ電子株式会社 ,  コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993181827
Publication number (International publication number)：1995006985
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長工程での髭状の突起物(ノジュール)の発生を防ぎ、デバイスプロセス工程中の塵芥の発生を防止することができる半導体ウェハを提供する。【構成】 半導体ウェハのポリシリコン膜堆積面に保護シールを貼着する。保護シールを貼着した半導体ウェハのエッジ部を研削する。エッジ部を研削した半導体ウェハの鏡面面取を行う。鏡面面取を行った半導体ウェハを洗浄する。

Claim (excerpt)：

少なくとも片面にポリシリコン膜が堆積された半導体ウェハにおいて、エッジ部のポリシリコン膜を除去したことを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (4)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-100319