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J-GLOBAL ID：200903020099331719

半導体装置

Inventor： 三澤 利之 ,  両角 伸治 ,  中澤 良雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992005950
Publication number (International publication number)：1993035226
Application date： Apr. 06, 1982
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【構成】 非単結晶シリコン薄膜トランジスタのゲート・ソース電圧範囲(VGS)が、ソース・ドレイン電流(IDS)の極小値に相当する所定のゲート・ソース電圧を含む電圧範囲となるべく設定する。【効果】非単結晶シリコン薄膜トランジスタのOFF時のリーク電流を最小とすることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタのゲート電極にゲート信号を供給してなるゲート線、該薄膜トランジスタのソース領域にデータ信号を供給してなるデータ線を有する半導体装置において、該薄膜トランジスタのソース、ドレイン領域は、非単結晶シリコン薄膜で形成されてなり、該薄膜トランジスタのゲート・ソース電圧範囲(VGS)が、ソース・ドレイン電流(IDS)の極小値に相当する所定のゲート・ソース電圧を含む電圧範囲となるべく、ゲート・ソース電圧のバイアス電圧値が設定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

G09G 3/36 ,  G02F 1/133 505

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-173794
  
• 特開昭57-048788
  
• 特開昭57-048788
  
• 特開昭56-021193