III族窒化物半導体光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001272784
Publication number (International publication number)：2003086897
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチングダメージやI-V特性劣化の課題を克服し、コンタクト面積が活性層面積より広く横モード特性に優れた窒化物半導体レーザを提供する。【解決手段】リッジ形状のクラッド層9の側面にn型反転領域を含む電流阻止層11を設ける。このn型反転領域は、マスク材料から揮発したシリコン等が導入されることにより形成される。

Claim (excerpt)：

活性層を含むIII族窒化物半導体積層構造と、その上部に形成されたリッジ形状の電流注入層と、該電流注入層を覆うように形成された電極層と、を有し、前記電流注入層の側壁と前記電極層との間に電流阻止層が設けられたことを特徴とするIII族窒化物半導体光素子。

IPC (2)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 610

FI (2)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 610

F-Term (11)：

5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-299644 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物半導体層の選択成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-227784 Applicant：日本電気株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-150292 Applicant：株式会社リコー

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