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J-GLOBAL ID：200903020112641668

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 小林 隆二 ,  堀田 等 ,  小林 健一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253325
Publication number (International publication number)：1995249838
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 メサ近傍の組成を格子整合したAl0.5 In0.5 Pまたは(AlY Ga1-Y )0.5 In0.5 Pにすることによりメサ部分における格子歪の発生を抑制し、信頼性の高いAlInP埋め込みの実屈折率導波型レーザを提供する。【構成】 AlInPまたはAlGaInPを電流ブロック層11とするAlGaInP系の実屈折率導波型レーザにおいて、メサ部分の歪解消のために、メサ近傍を格子整合するAl0.5 In0.5 Pまたは(AlY Ga1-Y )0.5 In0.5Pになるように成長を行い、発光部に影響を与えるメサ近傍での格子歪の発生を抑制する。また、低温(620°C以下)でAlInPまたはAlGaInPを成長させることによりメサ近傍と平坦部で組成差をなくすことができ、同様に歪の発生を抑制できる。

Claim (excerpt)：

第1導電型AlGaInPクラッド層と、アンドープGaInPまたはAlGaInPまたはそれらの量子井戸構造でなる活性層と、メサ形状を有する第2導電型AlGaInPクラッド層と、前記メサ側部が前記第2導電型クラッド層よりバンドギャップが大きく屈折率の小さいAlX In1-X P層または(AlY Ga1-Y )X In1-X P層で埋め込まれ、前記AlX In1-X Pまたは(AlY Ga1-Y )X In1-X P埋め込み層の組成が前記メサ近傍ではGaAsと格子整合する組成(X=0.5)であり、平坦部はX=0.5以外の組成であることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00