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J-GLOBAL ID:200903020116958348

向上した高分子型電気化学電池用の、スルホン化ポリ(フェニレンオキシド)に基づくブレンド膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000565049
Publication number (International publication number):2002522616
Application date: Aug. 09, 1999
Publication date: Jul. 23, 2002
Summary:
【要約】ポリ(フッ化ビニリデン)と色々な比率でブレンドされた高電荷密度のスルホン化ポリ(フェニレンオキシド)より成る固体高分子膜は、改善された膜特性を有する。これらの膜は安価であり、かつ非常に高いイオン伝導率を有し、かくして電気化学的用途における固体高分子電解質、特に高分子電解質膜(PEM)型燃料電池、電解質型二重層コンデンサーおよび再充電可能な亜鉛-ハライド型電池に適している。これらの膜はこれらディバイスの性能を向上させる。
Claim (excerpt):
均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)とポリ(フッ化ビニリデン)とのブレンドを含むイオン交換高分子膜であって、その均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)が次の繰返単位:【化1】(式中、R1およびR2は各々H、SO3HおよびSO3Mより成る群から選ばれ、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属および遷移金属より成る群から選ばれ、そしてnは40より大きい整数である。)によって特徴付けられる化学構造を有し、上記の均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)は約15,000〜約10,000,000の数平均分子量と約1〜約3.9meq/gのイオン電荷密度を有し、上記ポリ(フッ化ビニリデン)は約10,000〜約10,000,000の数平均分子量を有し、そして上記ブレンド中における均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)対ポリ(フッ化ビニリデン)の重量比が約1:49を超え、かつ約19:31未満である、上記のイオン交換高分子膜。
IPC (9):
C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CEZ ,  C08G 65/334 ,  C08L 27/16 ,  C08L 71/12 ,  H01G 9/025 ,  H01M 2/16 ,  H01M 8/02 ,  H01M 12/08
FI (9):
C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CEZ ,  C08G 65/334 ,  C08L 27/16 ,  C08L 71/12 ,  H01M 2/16 P ,  H01M 8/02 P ,  H01M 12/08 C ,  H01G 9/00 301 G
F-Term (44):
4F071AA26 ,  4F071AA51 ,  4F071AH15 ,  4F071FA01 ,  4F071FA05 ,  4F071FB01 ,  4F071FB07 ,  4F071FC01 ,  4J002BD141 ,  4J002CH072 ,  4J002GD01 ,  4J005AA26 ,  4J005BD06 ,  5H021EE02 ,  5H021EE10 ,  5H021EE18 ,  5H021EE20 ,  5H021EE25 ,  5H021HH00 ,  5H021HH01 ,  5H021HH05 ,  5H021HH06 ,  5H021HH07 ,  5H026AA06 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE19 ,  5H026HH00 ,  5H026HH05 ,  5H026HH06 ,  5H026HH09 ,  5H032AA04 ,  5H032AS03 ,  5H032AS07 ,  5H032CC06 ,  5H032EE01 ,  5H032EE08 ,  5H032EE15 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00 ,  5H032HH01 ,  5H032HH02 ,  5H032HH06 ,  5H032HH08

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