Pat

J-GLOBAL ID：200903020116958348

向上した高分子型電気化学電池用の、スルホン化ポリ(フェニレンオキシド)に基づくブレンド膜

Inventor： カバッソ,イスラエル ,  ユアン,ユーシン ,  ミッテルステッド,コートニー
Applicant, Patent owner： ザ・リサーチ・ファンデーション・オブ・ステート・ユニバーシティ・オブ・ニューヨーク
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000565049
Publication number (International publication number)：2002522616
Application date： Aug. 09, 1999
Publication date： Jul. 23, 2002
Summary：

【要約】ポリ(フッ化ビニリデン)と色々な比率でブレンドされた高電荷密度のスルホン化ポリ(フェニレンオキシド)より成る固体高分子膜は、改善された膜特性を有する。これらの膜は安価であり、かつ非常に高いイオン伝導率を有し、かくして電気化学的用途における固体高分子電解質、特に高分子電解質膜(PEM)型燃料電池、電解質型二重層コンデンサーおよび再充電可能な亜鉛-ハライド型電池に適している。これらの膜はこれらディバイスの性能を向上させる。

Claim (excerpt)：

均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)とポリ(フッ化ビニリデン)とのブレンドを含むイオン交換高分子膜であって、その均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)が次の繰返単位:【化1】(式中、R1およびR2は各々H、SO3HおよびSO3Mより成る群から選ばれ、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属および遷移金属より成る群から選ばれ、そしてnは40より大きい整数である。)によって特徴付けられる化学構造を有し、上記の均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)は約15,000〜約10,000,000の数平均分子量と約1〜約3.9meq/gのイオン電荷密度を有し、上記ポリ(フッ化ビニリデン)は約10,000〜約10,000,000の数平均分子量を有し、そして上記ブレンド中における均一にスルホン化されたポリ(フェニレンオキシド)対ポリ(フッ化ビニリデン)の重量比が約1:49を超え、かつ約19:31未満である、上記のイオン交換高分子膜。

IPC (9)：

C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CEZ ,  C08G 65/334 ,  C08L 27/16 ,  C08L 71/12 ,  H01G 9/025 ,  H01M 2/16 ,  H01M 8/02 ,  H01M 12/08

FI (9)：

C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CEZ ,  C08G 65/334 ,  C08L 27/16 ,  C08L 71/12 ,  H01M 2/16 P ,  H01M 8/02 P ,  H01M 12/08 C ,  H01G 9/00 301 G

F-Term (44)：

4F071AA26 ,  4F071AA51 ,  4F071AH15 ,  4F071FA01 ,  4F071FA05 ,  4F071FB01 ,  4F071FB07 ,  4F071FC01 ,  4J002BD141 ,  4J002CH072 ,  4J002GD01 ,  4J005AA26 ,  4J005BD06 ,  5H021EE02 ,  5H021EE10 ,  5H021EE18 ,  5H021EE20 ,  5H021EE25 ,  5H021HH00 ,  5H021HH01 ,  5H021HH05 ,  5H021HH06 ,  5H021HH07 ,  5H026AA06 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE19 ,  5H026HH00 ,  5H026HH05 ,  5H026HH06 ,  5H026HH09 ,  5H032AA04 ,  5H032AS03 ,  5H032AS07 ,  5H032CC06 ,  5H032EE01 ,  5H032EE08 ,  5H032EE15 ,  5H032EE20 ,  5H032HH00 ,  5H032HH01 ,  5H032HH02 ,  5H032HH06 ,  5H032HH08