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J-GLOBAL ID：200903020118935876

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

Inventor：
大福 幸司

About 大福 幸司

, 
北 弘志

About 北 弘志

, 
大津 信也

About 大津 信也

, 
香川 宣明

About 香川 宣明


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003371879
Publication number (International publication number)：2004207224
Application date： Oct. 31, 2003
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：
【課題】 高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表されるモノメチン化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。(Aは5員環または6員環の芳香族炭素環または複素環を表す。Qは一般式(1)で表される化合物に可視域または近赤外域に吸収能を付与可能な原子団を表し、かつ、このQは、直接または連結基を介して-COOM基を少なくとも一つ有する。Mは水素原子または塩形成陽イオンを表す。)【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で表されるモノメチン化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2)：
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (14)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (4)
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