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J-GLOBAL ID：200903020119794591

無電解めっきの前処理方法

Inventor： 田中 宏和 ,  廣野 聡 ,  新納 弘之 ,  矢部 明
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  オムロン株式会社
Agent (2)： 青山 葆 (外4名) ,  青山 葆 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999011710
Publication number (International publication number)：2000212755
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 使用するレーザの種類に拘わらず、特定箇所を効率的に、しかも強固にめっきする。【解決手段】 高分子材料に無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザを照射し、陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬した後、無電解めっきを行う。

Claim (excerpt)：

高分子材料に無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザを照射し、陰イオン性の貴金属水溶液に浸漬することを特徴とする無電解めっきの前処理方法。

IPC (2)：

C23C 18/20 ,  C23C 18/42

FI (2)：

C23C 18/20 A ,  C23C 18/42

F-Term (12)：

4K022AA13 ,  4K022AA14 ,  4K022AA15 ,  4K022AA16 ,  4K022AA17 ,  4K022AA18 ,  4K022AA20 ,  4K022AA25 ,  4K022AA26 ,  4K022BA18 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-127867
  
• 特開昭60-149783