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J-GLOBAL ID：200903020121608118

半導体装置

Inventor： 崎元 正教 ,  日野出 憲治 ,  近藤 誠一 ,  井出 昭 ,  山口 貴士
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996017254
Publication number (International publication number)：1997213696
Application date： Feb. 02, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 配線に発生するジュ-ル熱を効果的に放熱させて、配線の寿命の劣化を防止する【解決手段】 熱伝導率の高い材料からなる伝熱層を前記配線層と同層に設け、一の層の配線層と他の層の伝熱層とを熱的に接続し、前記一の層の配線層に発生する熱を半導体装置の外面に位置し前記他の層の伝熱層と隣接した放熱体から放熱する。前記配線層或いはこの配線層と接続した伝熱層と半導体装置の外面に位置する放熱体とを熱的に接続し、前記配線層に発生する熱を前記放熱体から放熱する。前記放熱体としては、前記半導体基板或いは、半導体装置の上面に形成された放熱板を用いる。【効果】 配線層に生じるジュール熱を熱伝導によって外部に放出することができるので、配線温度の上昇を低減できる。このため、配線の寿命が延長され、電流密度を高めることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板主面に形成した素子を接続する配線層が絶縁膜を介して前記半導体基板主面上に複数層設けられている半導体装置において、熱伝導率の高い材料からなる伝熱層を配線層と同層に設け、一の層の配線層或いはその配線層と接続した伝熱層と他の層の伝熱層とを熱的に接続し、前記一の層の配線層に発生する熱を半導体装置の外面に位置し前記他の層の伝熱層と隣接した放熱体から放熱することを特徴とする半導体装置。