ポジ型レジスト組成物

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001149862
Publication number (International publication number)：2002341541
Application date： May. 18, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】遠紫外光、特にArFエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができ、パターン倒れが防止され、エッチング時の表面荒れ及びデフォーカスラチチュードに優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)特定の脂肪族環状炭化水素基を側鎖に有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、樹脂(A)においてアクリルモノマーに相当する繰り返し単位の含有比率が特定範囲であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)脂肪族環状炭化水素基を側鎖に有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物において、(A)の樹脂が、下記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を少なくとも1種含有する樹脂であり、アクリルモノマーに相当する繰り返し単位の含有比率が全繰り返し単位中5〜45モル%であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】上記式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。

IPC (6)：

G03F 7/039 601 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/039 601 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

F-Term (35)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA02P , 4J100BA03S , 4J100BA05Q , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BC02P , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC09S , 4J100BC12P , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA03 , 4J100CA06 , 4J100JA38

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