Pat

J-GLOBAL ID：200903020129606637

結晶性窒化ケイ素膜のエピタキシャル成長方法およびエピタキシャル結晶性窒化ケイ素膜

Inventor： 楠 勲 ,  高見 知秀 ,  阿部 積
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000145467
Publication number (International publication number)：2001328898
Application date： May. 17, 2000
Publication date： Nov. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Si単結晶表面に結晶性窒化ケイ素膜をエピタキシャル成長する。【解決手段】 真空中で、500eVに加速したN<SB>2 </SB><SP>+ </SP>イオンをシリコン単結晶(100)表面に照射して形成する。結晶島1、1’はα-Si<SB>3 </SB>N<SB>4 </SB>(六方晶系、a=0.776nm、c=0.562nm)結晶であり、結晶島1のc軸はSi〔011〕方位に沿っており、a軸はSi〔100〕方位に沿っている。結晶島1’は結晶島1をc軸の回りに90°回転した関係にあり、c軸はSi〔011〕方位に沿っており、a軸はSi〔01-1〕方位に沿っている。エピタキシャル配向は、結晶島1および1’について、それぞれ(100)<001>α-Si<SB>3 </SB>N<SB>4 </SB>‖(100)<011>Si、および(120)<001>α-Si<SB>3 </SB>N<SB>4 </SB>‖(100)<011>Si、である。

Claim (excerpt)：

真空中で、加速した窒素イオンをシリコン単結晶表面に照射して形成することを特徴とする結晶性窒化ケイ素膜のエピタキシャル成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C23C 14/48 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/318

FI (4)：

C30B 29/38 B ,  C23C 14/48 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/318 B

F-Term (14)：

4G077AA03 ,  4G077BE14 ,  4G077FD03 ,  4G077HA06 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF64 ,  5F058BF76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 超硬質被膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-277217   Applicant：三洋電機株式会社