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J-GLOBAL ID：200903020132049072

気相成長方法とその装置

Inventor： 小田 克矢 ,  清田 幸弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994020872
Publication number (International publication number)：1995230955
Application date： Feb. 18, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】成長前の基板を短時間で制御性良く温度調節し、基板表面への不純物の付着を減少させてエピタキシャル膜の欠陥を低減する。【構成】クリーニングガス中で基板を高温に加熱することによって基板表面を清浄した後、基板を成長温度まで降温する段階で、反応室を急激に減圧することにより基板温度を短時間で成長温度まで降温する。【効果】基板表面清浄化からエピタキシャル成長までの基板の降温時間を大幅な短縮が可能となり、基板表面への不純物付着を低減でき、かつキャリアのプロファイルを急峻にできる。また、デバイスの熱履歴を減少することができる。さらに降温時間の短縮によりエピタキシャル成長のスループットが向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板を誘導加熱により加熱し、シリコン系ガスを分解させてシリコンのエピタキシャル成長を行う気相成長方法において、前記半導体基板をクリーニングガス中でエピタキシャル成長時よりも高温に加熱して表面の自然酸化膜を除去する工程,クリーニングガスの供給を停止する工程,反応室内の前記クリーニングガスを強制排気して反応室を減圧することにより前記半導体基板の温度を下げる工程,前記反応室にシリコン系ガスを流してエピタキシャル成長を行う工程を含むことを特徴とする気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46