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J-GLOBAL ID：200903020136659401

不純物拡散方法およびウエハの誘電体分離方法

Inventor： 平林 温夫
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991283368
Publication number (International publication number)：1993121535
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体に深い溝や狭い溝を掘り込んだ場合にも溝面に不純物を所望の不純物濃度で均一に拡散できるようにし、かつこれを利用して誘電体分離構造のウエハの半導体領域と誘電体膜の間に高不純物濃度の拡散層を作り込む。【構成】溝面に不純物を含む半導体膜を気相成長させた後に熱処理を施して半導体膜から不純物を溝の半導体表面部に拡散させ、ウエハの誘電体分離の際は分離溝の不純物を含む半導体膜を気相成長させた後に熱酸化処理を施して不純物を拡散させるとともに半導体膜を酸化して酸化半導体膜とし、これを誘電体分離用の誘電体膜に利用する。

Claim (excerpt)：

半導体内に掘り込まれた溝の半導体表面部に不純物を拡散する方法であって、溝面に不純物を含む半導体膜を気相成長させた後に熱処理を施すことにより不純物を半導体膜から半導体の溝表面部に熱拡散させることを特徴とする不純物拡散方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/225 ,  H01L 27/04