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J-GLOBAL ID：200903020138639211

金属薄膜の堆積法

Inventor： 笹岡 千秋
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992206231
Publication number (International publication number)：1994029245
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ステップカバレッジがよく、膜厚制御性に優れた金属薄膜の堆積法を提供する。【構成】 遷移金属のハロゲン化物ガスと水素ガスを交互に基板上に供給することにより金属を堆積させる。

Claim (excerpt)：

基板上に遷移金属のハロゲン化物ガスと水素ガスを交互に供給する工程を含むことを特徴とする金属薄膜の堆積法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14