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J-GLOBAL ID：200903020145887972

単層ナノチューブの製造方法

Inventor： 山口 千春 ,  松村 雄次 ,  松井 文雄
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997285360
Publication number (International publication number)：1999116218
Application date： Oct. 17, 1997
Publication date： Apr. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 糸径・糸長が比較的揃った単層ナノチューブを高収率で製造する。【解決手段】 ドライプロセス(例えば、レーザー蒸着法、抵抗加熱法、アーク放電法、高周波誘導加熱法、プラズマ法、熱CVD法、電子線蒸着法、燃焼法)によってカーボンナノチューブを製造する方法において、原料として、(1)金属高分散炭素、即ち、粒子サイズが100nm以下である金属粒子が分散した炭素、例えば、炭素原料に金属原料を加え液層反応後、炭化した金属分散炭素、金属メッキした炭素、金属をインターカレート又はドープした炭素、メカニカルアローイング法により複合化した金属炭素複合材料、(2)金属複合化炭素粒子、即ち、粒子サイズが100nm以下である金属と炭素との複合化粒子、例えば、炭素原料(例えば、メタン)と金属原料(例えば、有機金属化合物)をプラズマ中に供給することにより得られる金属と炭素との複合化粒子、又は(3)メタン及び金属又は金属化合物を使用する。

Claim (excerpt)：

ドライプロセスによってカーボンナノチューブを製造する方法において、ナノチューブを形成する黒鉛シートを粒子サイズが100nm以下である金属粒子を核として成長させることを特徴とする単層ナノチューブの製造方法。