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J-GLOBAL ID：200903020149964149

表面処理方法

Inventor： 中崎 靖
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000292884
Publication number (International publication number)：2001168076
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 環境負荷が小さな表面処理方法を提供すること。【解決手段】 本発明の表面処理方法は,第1の分子と第2の分子とが分子間力により結合してなるクラスタを気相で生成し、前記クラスタの生成に伴って生じたエネルギーの少なくとも一部を利用して前記クラスタに含まれる前記第1の分子を反応性のより高い状態とし、前記反応性のより高い状態とされた第1の分子を含むクラスタを用いて被処理体の表面を気相で処理する工程を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の分子と第2の分子とが分子間力により結合してなるクラスタを気相で生成し、前記クラスタの生成に伴って生じた内部エネルギーの少なくとも一部を利用して前記クラスタに含まれる前記第1の分子を反応性のより高い状態とし、前記反応性のより高い状態とされた第1の分子を含むクラスタを用いて被処理体の表面を気相で処理する工程を具備することを特徴とする表面処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/302 N