化学増幅系レジスト

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997313190
Publication number (International publication number)：1999143078
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】化学増幅系レジストの溶解コントラストが高いため、レジストの解像性能が優れ、従って半導体デバイスの高集積化が可能な化学増幅系レジストを提供する。【解決手段】少なくとも酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂と光酸発生剤からなる化学増幅系ポジ型レジストにおいて、該光酸発生剤が酸触媒反応によって分解する保護基を有する化学増幅系レジスト。

Claim (excerpt)：

少なくとも酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂と光酸発生剤からなる化学増幅系ポジ型レジストにおいて、該光酸発生剤が酸触媒反応によって分解する保護基を有することを特徴とする化学増幅系レジスト。

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-329914 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
特開平4-248554
スルホニウム塩及び化学増幅型ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-155141 Applicant：信越化学工業株式会社

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