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J-GLOBAL ID：200903020174638558
メモリーハードディスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303026
Publication number (International publication number)：1994131659
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【構成】 メモリーハードディスクの製造において、アルミニウム又はアルミニウム合金基板に亜鉛置換処理を施した後、無電解ニッケルめっきを施すに際し、無電解ニッケルめっき浴として、次亜リン酸又はその塩を還元剤として用いためっき浴に水溶性鉛化合物と水溶性アンチモン又はビスマス化合物とを添加したものを使用することを特徴とするメモリーハードディスクの製造方法。【効果】 本発明によれば、無電解Ni-P皮膜のノジュールを減少させることができ、このためハードディスクを製作する場合において、該Ni-P皮膜の研磨を簡略化することができ、場合によっては平滑化研磨を省略し、テクスチャー処理のみで表面を一定の粗さにすることができる。また、無電解Ni-P皮膜の端面だれ現象を防止することができ、またNi-P皮膜の耐熱非磁性特性を確実に確保することができる。
Claim (excerpt)：
メモリーハードディスクの製造において、アルミニウム又はアルミニウム合金基板に亜鉛置換処理を施した後、無電解ニッケルめっきを施すに際し、無電解ニッケルめっき浴として、次亜リン酸又はその塩を還元剤として用いためっき浴に水溶性鉛化合物と水溶性アンチモン又はビスマス化合物とを添加したものを使用することを特徴とするメモリーハードディスクの製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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