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J-GLOBAL ID：200903020179221540
多層薄膜デバイスと薄膜の接続方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992260435
Publication number (International publication number)：1994112653
Application date： Sep. 30, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 絶縁層を介して複数の導体パターンが積層されてなる配線基板を具えた多層薄膜デバイス、特にスルーホールを通して複数の導体パターンを接続する際の接続不良を低減する手段に関し、導体パターン間を接続する際に生成物等の影響を受け難い薄膜接続方法の提供を目的とする。【構成】 導体パターン3間を絶縁してなる絶縁層4に1個の接続点に対して複数のスルーホール41を形成すると共に、導体パターン3間の1個の接続点を複数のスルーホール41を通して接続するように構成する。
Claim (excerpt)：
絶縁層を介して複数の導体パターンが積層されてなる配線基板を具えた多層薄膜デバイスの製造において、該絶縁層に形成されてなるスルーホールを通して複数の該導体パターン間を電気的に接続する方法であって、導体パターン(3) 間を絶縁してなる絶縁層(4) に1個の接続点に対して複数のスルーホール(41)を形成すると共に、該導体パターン(3) 間の1個の接続点を複数の該スルーホール(41)を通して接続することを特徴とした薄膜の接続方法。
Patent cited by the Patent：
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