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J-GLOBAL ID：200903020180911894

ウエハ基板の総合研磨方法及びその装置

Inventor： 山下 純一 ,  林 健郎 ,  川副 公之 ,  南 秀旻
Applicant, Patent owner： 株式会社スーパーシリコン研究所
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997089980
Publication number (International publication number)：1998270394
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来よりも表面に付着する異物が低減し、高清浄なウエハが得られるウエハの総合研磨方法及びその装置を提供する。【解決手段】 ラッピングにより、平坦化されたウエハ基板に対し化学エッチングを施さずに鏡面研磨した後、機能水のみと接触させた状態で水研磨して、これを最終洗浄する。

Claim (excerpt)：

研磨材を用いてウエハ基板を研磨することにより切断時に生じたウエハ基板表面の微細な凹凸を平坦化するラッピング処理工程と、該ラッピング処理工程でラッピング処理されたウエハ基板の表面を研磨材を用いて鏡面状に研磨する鏡面研磨工程と、前記鏡面研磨とは別の異なる研磨手段により、前記鏡面研磨工程において鏡面研磨されたウエハ基板の表面を、超純水に予め定められた処理が施された機能水と接した状態で研磨する水研磨工程と、前記水研磨工程において研磨されたウエハ基板を洗浄水と接した状態で洗浄する最終洗浄工程とを含むことを特徴とするウエハ基板の総合研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 341

FI (3)：

H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体ウエーハから微粒子汚染物を除去する方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028190   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 油付着物の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-278338   Applicant：三菱化成エンジニアリング株式会社, 三菱化学株式会社