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J-GLOBAL ID：200903020182738260

磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法

Inventor： 上原 裕二 ,  金井 均 ,  金峰 理明 ,  大塚 善徳 ,  北島 政充 ,  筧 正弘 ,  戸田 順三 ,  渡部 慶二 ,  野▲崎▼ 耕司 ,  五十嵐 美和 ,  倉光 庸子 ,  矢野 映 ,  並木 崇久 ,  白瀧 博 ,  大塚 慶太
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995339593
Publication number (International publication number)：1997073610
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】リフトオフによるパターンの形成工程を含む磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関し、膜を精度良くパターニングし、しかもレジストのダメージ発生を抑制すること。【解決手段】磁気抵抗硬化素子5を構成する多層膜の上に有機膜を形成し、有機膜6の上にレジスト又は無機膜よりなる上側膜7を形成し、そして有機膜6と上側膜7をパターニングして、有機膜6のパターンの縁を上側膜7のパターンの縁から内方へ食い込ませ、さらに、その食い込み量は、上側膜7の上と多層膜の上に形成される薄膜の分子が有機膜6のパターンの側部に付着しない程度にする工程を含む。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果素子を構成する多層膜を絶縁性非磁性層上に形成する工程と、前記多層膜上に有機物よりなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜をパターニングして所定領域に開口部を形成する工程と、前記開口部を通して前記第1の膜をエッチングすることにより、後の工程で前記第2の膜の上に形成される薄膜の粒子が前記第1の膜のパターンの側部に回り込まない量で前記第1の膜の縁を前記第2の膜のパターンの縁から内方に食い込ませた第1の膜のパターンを形成する工程と、真空プロセスを用いて前記第2の膜の上と前記開口部の下の前記多層膜の上に前記薄膜を形成する工程と、前記第1の膜と前記第2の膜を剥離して前記第2の膜上の前記薄膜をリフトオフしてパターニングする工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-125311