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J-GLOBAL ID：200903020184131524

窒素化合物半導体膜の形成方法および窒素化合物半導体素子

Inventor： 湯浅 貴之 ,  上田 吉裕
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998176761
Publication number (International publication number)：2000012897
Application date： Jun. 24, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 窒素化合物半導体膜の結晶貫通転移を低減し、良好な結晶性を有するGaN厚膜を得る。【解決手段】 GaN結晶成長を抑制する特性を有する非晶質基板または(100)立方晶基板または(110)面立方晶基板の上に、GaN結晶成長を促進する膜をストライプ状に形成し、その上にGaN結晶を成長させる。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上の窒素化合物半導体を含む窒素化合物半導体膜を形成する方法であって、前記基板が成長抑制膜を最表面に有し、前記基板上の一部に成長促進膜が形成され、該成長促進膜に接して窒素化合物半導体が形成されていることを特徴とする窒素化合物半導体膜の形成方法。

F-Term (6)：

5F041CA23 ,  5F041CA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67