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J-GLOBAL ID：200903020186268632

磁気抵抗効果素子

Inventor： 猪俣 浩一郎 ,  柚須 圭一郎 ,  ロジャー・ハイモア ,  奥野 志保 ,  斉藤 好昭
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011034
Publication number (International publication number)：1996264858
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】ヒステリシス及び飽和磁界がともに小さく、磁気抵抗変化率の大きい磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】半導体マトリックス1中にFe,CoおよびNiからなる磁性元素のうち少なくとも1種を含む磁性金属粒子2が分散した構造を有する磁性体3により磁気抵抗効果素子を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体マトリックス中に、Fe,CoおよびNiからなる磁性元素のうち少なくとも1種を含む磁性金属粒子が分散した磁性体を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/28 ,  H01L 43/10

FI (3)：

H01L 43/08 S ,  H01F 10/28 ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗トランスデューサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-152321   Applicant：トムソン-セーエスエフ
• 特開昭64-028957
  
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-036912   Applicant：株式会社東芝