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J-GLOBAL ID：200903020193618860

半導体レーザ装置

Inventor： 冨田 恵作
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142477
Publication number (International publication number)：1995015078
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体レーザの光出力と発振波長の変化を検出して回路制御することにより、半導体レーザの経時的な変動の極めて小さい半導体レーザ装置を構成する。【構成】この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ部と光出力安定化回路と発振波長制御部の3つの部分から構成され、半導体レーザ部によって光出力の変動と発振波長の変動を検出したのち、光出力安定化回路では例えば半導体レーザのバイアス電流を変化させることにより光出力の調整を行い、また発振波長制御部では例えば内蔵する温調素子による温度制御を行うことにより光出力の調整及び発振波長の調整を行う。

Claim (excerpt)：

半導体レーザと、前記半導体レーザの光出力および発振波長を検出する手段と、前記光出力および発振波長の検出手段による出力を基準として前記半導体レーザの光出力および発振波長を制御する手段とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (5)：

H01S 3/133 ,  H01S 3/096 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06 ,  H04B 10/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-320385
  
• 特開平1-251681
  
• 特開昭62-244184
  
• 特開昭62-136088