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J-GLOBAL ID：200903020196193541

微細パターン形成方法

Inventor： 井上 壮一 ,  森 一朗 ,  大西 廉伸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318924
Publication number (International publication number)：1994163355
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レベンソン型位相シフトマスクを用いて所望レジストパターンを形成する際に、マスク製造プロセスやシフタ配置アルゴリズムの複雑化を招くことなく、解像力の向上をはかることができ、簡易にして高解像のパターン転写を可能とする微細パターン形成方法を提供すること。【構成】 マスク10に形成されたパターンを投影光学系15を介してウェハ16上に転写する微細パターン形成方法において、マスク10として、所望レジストパターンに対応するマスク部位が開口部13で、その他のマスク部位が遮光部12であり、該開口部13の1つおきに照明光の位相を180度シフトせしめる位相シフタ14を配置したものを用い、ウェハ16上に塗布されたポジ型レジスト17にマスク10の透過像を露光したのち、塩基性物質の蒸気中で加熱処理を施し、次いでレジスト17に全面露光を行ったのち現像処理を施すことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マスクに形成されたパターンを投影光学系を介してウェハ上に転写する微細パターン形成方法において、前記マスクとして、所望レジストパターンに対応するマスク部位が開口部で、その他のマスク部位が遮光部であり、開口部のほぼ1つおきに照明光の位相をほぼ180度シフトせしめる位相シフタを配置したものを用い、前記ウェハ上に塗布されたポジ型レジストに前記マスクの透過像を露光したのち塩基性物質の蒸気中で加熱処理を施すか、又は予め塩基性物質が添加されて前記ウェハ上に塗布されたポジ型レジストに前記マスクの透過像を露光したのち加熱処理を施し、次いで前記レジストに全面露光を行ったのち現像処理を施すことを特徴とする微細パターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38

FI (5)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 361 P ,  H01L 21/30 361 K