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J-GLOBAL ID：200903020198482885

硬質炭素被膜基板及びその形成方法

Inventor： 平野 均 ,  堂本 洋一 ,  蔵本 慶一 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994119222
Publication number (International publication number)：1995316818
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 NiまたはAlを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板の上に硬質炭素被膜を形成した硬質炭素被膜基板であって、基板と硬質炭素被膜との密着性に優れた硬質炭素被膜基板を得る。【構成】 真空チャンバ8内に設けられた基板ホルダ12に基板13を装着し、シールドカバー14の第2開口部43において、イオンガン47及びターゲット46からなる中間層形成手段により基板上にSiまたはGeを主成分とする中間層を形成し、第1開口部15において反応ガス導入管16から導入される炭素を含む反応ガスをプラズマ化し、中間層の上にダイヤモンド状被膜を形成する。これによって基板とダイヤモンド状被膜との間にSiまたはGeを主成分とする中間層を形成する。

Claim (excerpt)：

NiまたはAlを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板と、前記基板上に形成されるSiを主成分とする中間層と、前記中間層上に形成される硬質炭素被膜とを備える硬質炭素被膜基板。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-132779
  
• 特開平1-062457
  
• 特開昭57-119362
  
• 特開平4-333577
  
• 特開昭63-286576