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J-GLOBAL ID：200903020200313026

半導体加速度センサの製造方法

Inventor： 西村 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 石戸谷 重徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331738
Publication number (International publication number)：1996167723
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、自動車や航空機、各種の産業用ロボットなどの加速度を検出する半導体加速度センサの製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 かゝる本発明は、Si基板11の片面に所定のパターン回路12を形成する一方、当該Si基板11の他面には、マスク層を施した後、エッチング液による異方性エッチングによって、共に多角形のダイアフラム部13とその質量部14を形成する半導体加速度センサの製造方法にあり、ここでの異方性エッチングと、共に多角形であるダイアフラム部と質量部によって、エッチング時、特殊なマスク層を形成する必要がなく、また、形状の再現性も良好で、高感度の半導体加速度センサが得られる。

Claim (excerpt)：

Si基板の片面に所定のパターン回路を形成する一方、当該Si基板の他面には、マスク層を施した後、エッチング液による異方性エッチングによって、共に多角形のダイアフラム部とその質量部を形成することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12