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J-GLOBAL ID：200903020214416979
単結晶電界放出デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
竹内 澄夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993192991
Publication number (International publication number)：1994097458
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 粒界の無い単結晶の外側にデバイスの電極の一部分または全てを形成することによって、損傷に対する感受性、不安定性および一様性の欠如という問題を最小限にした電界放出デバイスおよび製造方法を提供する。【構成】 電界放出デバイス(100)は、電極(103、104および205)の全てか、または、一部の粒界を排除するために、単結晶を使用する。粒界を排除することは、損傷に対しての感受性を低減し、デバイス(100)の安定性を向上し、そして、デバイス間の一様性および再生産性を向上させる。好適実施例において、エミッタ電極(103)およびゲート電極(104)は、単結晶薄状フィルム(302)から形成される。他の実施例において、電極(103、104および205)の1つ、または、それ以上が単結晶から形成されるところの他の構造が、利用される。
Claim (excerpt)：
電界放出デバイスであって、電子を放出するためのエミッタ電極と、第1の単結晶から形成され、電子放出を制御するためのゲート電極とから成り、前記エミッタ電極と前記ゲート電極との間にギャップがある、ところの電界放出デバイス。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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