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J-GLOBAL ID：200903020224137180

GaN系の半導体素子

Inventor： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  伊藤 潤 ,  野杁 静代 ,  米津 宏雄
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998280711
Publication number (International publication number)：1999177142
Application date： Oct. 02, 1998
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】 Si基板上に形成されたGaN系の半導体層にクラックが入らないようにする。【構成】 Si製の基板とGaN系の半導体層との間にTi製の層を介在させる。このTi製の層はSi製の基板の上にGaN系の半導体からなる第1の層を介して形成されている。

Claim (excerpt)：

Si製の基板と、該Si製の基板上に形成されたGaN系の半導体からなる第1の層と、該第1の層の上に形成されたTiからなる第2の層と、該第2の層の上に形成されたGaN系の半導体層と、を備えてなるGaN系の半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205