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J-GLOBAL ID：200903020235664727

半導体処理リアクタ

Inventor： ディヴィッド ニン クー ワン ,  ジョン エム ホワイト ,  カム エス ロウ ,  シシー リューン ,  サルヴァドル ピー ウモトイ ,  ケニス エス コリンズ ,  ジョン エイ アダミク ,  イルヤ パーロフ ,  ダン メイダン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995201143
Publication number (International publication number)：1996055843
Application date： Dec. 18, 1987
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】 超高圧を含む、広範囲の圧力にわたって均一な蒸着を提供する半導体処理リアクタを提供することを目的とする。【解決手段】 ウェーハを水平に取付けるための真空室を構成し、かつ、ウェーハ取付け位置の上に、該取付け位置においてウェーハに反応ガスを供給するための水平入口ガスマニホルドを有するハウジングと、真空室内のウェーハ取付け位置の下方周囲に取付けられ、かつ、環状配列の排出孔を有するガス整流プレートと、真空排出ポンプ手段と、孔配列の下方に位置しこれと連通し、かつ、真空排出ポンプ手段と連通する排出口を有する環状溝とを含み、該環状溝の容積は、半径方向ガス流がウェーハ取付け位置を横断し排出口から溝の中に流入することができるほど、排出口に対して伝導力を提供することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

内部でウェーハをガス化学処理するようになった室を構成するハウジングと、室の底部を形成する輻射エネルギ透過窓と、室内で支持されていて、ウェーハを支持するためのサセプタとを含み、前記ハウジングは、窓の下方でハウジングに取付けられていて、ランプからの実質的に平行な輻射エネルギの環状ビームを、サセプタの中央部分でよりも縁部においてより大きな入射密度で、窓を介してサセプタに差し向けるための輻射加熱手段をさらに有することを特徴とする半導体処理リアクタ。

IPC (7)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-219724
  
• 特開昭60-125371