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J-GLOBAL ID：200903020245916767
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156195
Publication number (International publication number)：1994077163
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 微細な半導体装置におけるコンタクトホール部分において配線部と導電領域、例えば半導体基板に形成した導電層やシリコンを主成分とする下地配線との接触抵抗が小さい構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置は、半導体基板1と、この半導体基板1を構成する単結晶シリコンに不純物がドーピングされた導電層3と、前記半導体基板1上に絶縁膜2を介して形成された、シリコンを主成分とする配線層4と、前記導電層3と前記配線層4とを含む領域の表面を被覆する絶縁膜5と、この絶縁膜5の一部を除去して形成され、前記導電層3および前記配線層4のそれぞれに連通するコンタクトホール9a,9bと、これらのコンタクトホールを介して、前記導電層3および前記配線層4の少なくとも一方と電気的に接続された多重配線層Wと、を含む。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、半導体物質を主成分とする導電領域と、この導電領域を含む表面を被覆する絶縁膜と、この絶縁膜の一部を除去して形成され、前記導電領域と連通するコンタクトホールと、このコンタクトホールを介して前記導電領域と電気的に接続された多重配線層と、を含み、この多重配線層は、前記導電領域に接触し、多結晶シリコンを主成分とする導電性シリコン膜と、この導電性シリコン膜と接触するバリアメタル膜と、このバリアメタル膜と接触する金属配線膜と、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
Cited by examiner (9)
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