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J-GLOBAL ID：200903020271903096
半導体素子用多層被覆ボンディングワイヤ及び半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216153
Publication number (International publication number)：1995066236
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】一種類の金属材料よりなる均質構造の従来ワイヤが有する欠点を解消して、伝送特性の劣化を招く恐れのない新規なボンディングワイヤ、並びにそのボンディングワイヤを用いてなる半導体装置を提供する。【構成】芯線1として線径25μm程度の金属ワイヤを用い、この芯線1の外周に厚さ2μmの絶縁被膜2を形成し、さらにその外側に厚さ0.5 μmの金属導体被膜3を形成し多層被覆構造のボンディングワイヤaを作製した。このボンディングワイヤaを用いて、芯線1の一端を電極5にボールボンディングで接続し他端は信号リード6にウエッジボンディングで接続して、半導体チップ4上の多数の電極5と各電極5に対応せしめて形成した信号リード6とをボンディングすると共に、金属導体3を接地リード7に接続せしめて半導体装置を作製した。
Claim (excerpt)：
半導体素子における第1の位置と第2の位置とを電気的に接続するボンディングワイヤであって、金属導体からなる芯線を絶縁体で被覆して絶縁すると共に、該絶縁被膜の外側に金属導体被膜を形成してなることを特徴とする多層被覆ボンディングワイヤ。
IPC (2)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
