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J-GLOBAL ID：200903020277372742

磁気抵抗効果素子

Inventor： 羽根田 茂 ,  中 村 志 保 ,  大 沢 裕 一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002287804
Publication number (International publication number)：2004128085
Application date： Sep. 30, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】微小なビット信号を高感度で検出することを可能にする。【解決手段】第1磁性体層11と、第1磁性体層に積層したスペーサ層20と、スペーサ層に積層した第2磁性体層12aと、第1磁性体層、スペーサ層、および第2磁性体層からなる積層構造に隣接する絶縁層30と、絶縁層に隣接するゲート電極31とを備え、ゲート電極に印加する電圧により磁気感応領域を制御する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1磁性体層と、前記第1磁性体層に積層したスペーサ層と、前記スペーサ層に積層した第2磁性体層と、前記第1磁性体層、前記スペーサ層、および前記第2磁性体層からなる積層構造に隣接する絶縁層と、前記絶縁層に隣接するゲート電極とを備え、前記ゲート電極に印加する電圧により磁気感応領域を制御することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

FI (3)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 S ,  H01L43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 集積された半導体デバイスを有するMRAM
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-361340   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-119589   Applicant：ソニー株式会社
• 強磁性半導体及び強磁性半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-041152   Applicant：コリアインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー

Cited by examiner (1)

• 集積された半導体デバイスを有するMRAM
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-361340   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド