結晶化装置及び結晶化方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004244194
Publication number (International publication number)：2006066462
Application date： Aug. 24, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】半導体膜が溶融して、結晶化する状態をリアルタイムで観察することが可能であり、半導体薄膜の、例えば、成長速度及び成長方向を正確に測定することが可能な結晶化装置及び結晶化方法を提供する。【解決手段】結晶化装置1は、基板26に設けられた非単結晶半導体薄膜27にエネルギー光を照射して、この非単結晶半導体薄膜27を溶融して結晶化する結晶化用光学系2を具備する結晶化装置1であって、前記エネルギー光の光路外に配置され、測定用の照明光を照射する測定用照明光学系30と、測定光を複数の測定光に分割する光学素子41と、各々の測定光を光検出器の受光面に前記非単結晶半導体薄膜27の像としてそれぞれ結像するレンズ45A,45Bと、前記光検出器を含み、前記受光面の像のそれぞれを結晶化情報に変換する複数の計測器50A,50Bと、前記結晶化情報を処理する画像処理装置とを具備する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板に設けられた非単結晶半導体膜にエネルギー光を照射して、この非単結晶半導体膜を溶融して結晶化する結晶化用光学系を具備する結晶化装置であって、前記エネルギー光の光路外に配置され、前記非単結晶半導体膜に測定用の照明光を照射する測定用照明光学系と、前記非単結晶半導体膜からの測定光を複数の測定光に分割する光学素子と、前記光学素子により分割された各々の測定光を拡大し、この各々の測定光を光検出器の受光面に前記非単結晶半導体膜の像としてそれぞれ結像するレンズと、前記光検出器を含み、前記受光面に結像された前記非単結晶半導体膜の像のそれぞれを結晶化情報に変換する複数の計測器と、前記複数の計測器からの結晶化情報を処理する画像処理装置とを具備することを特徴とする結晶化装置。

IPC (3)：

H01L 21/268 , B23K 26/00 , H01L 21/20

FI (4)：

H01L21/268 T , B23K26/00 E , B23K26/00 P , H01L21/20

F-Term (22)：

4E068AH01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA04 , 4E068CC02 , 4E068CD10 , 4E068CD11 , 4E068CD13 , 4E068DA10 , 5F052AA02 , 5F052AA03 , 5F052AA04 , 5F052AA25 , 5F052BA04 , 5F052BA12 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

シリコン薄膜の結晶性評価方法および評価装置ならびにレーザアニール法および装置。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-396474 Applicant：シャープ株式会社

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