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J-GLOBAL ID：200903020300383633

半導体装置の熱処理方法

Inventor： 嶋 昇 平 ,  須 黒 恭 一 ,  岡 野 晴 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224394
Publication number (International publication number)：1994077221
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヒロック等の不良発生モードを金属配線に形成することなく絶縁膜の被覆することができる半導体装置の熱処理方法を提供する。【構成】 金属配線を形成した半導体基板に絶縁膜を被覆する半導体装置の熱処理方法において、100°C以下の低温部に載置された半導体基板を前記金属配線の金属の融点より高くない融点近傍の高温温度まで、前記金属配線に不良発生モードが形成されないほどに速い昇温速度で昇温する工程(ST1)と、次に前記高温温度で前記金属配線に粒界を形成する工程(ST2)と、次に前記金属配線の他との反応が進行しないほどに速い降温速度で前記半導体基板を降温して絶縁膜を被覆する工程(ST3)とを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

金属配線を形成した半導体基板に絶縁膜を被覆する半導体装置の熱処理方法において、100°C以下の低温部に載置された半導体基板を前記金属配線の金属の融点より高くない融点近傍の高温温度まで、前記金属配線に不良発生モードが形成されないほどに速い昇温速度で昇温する工程と、次に前記高温温度で前記金属配線に粒界を形成する工程と、次に前記金属配線の他との反応が進行しないほどに速い降温速度で前記半導体基板を降温して絶縁膜を被覆する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の熱処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324