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J-GLOBAL ID：200903020310399163

C-MOSレベルシフタ

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222498
Publication number (International publication number)：1995078885
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】簡潔にレベルシフトができ、集積度の低下も少なく、消費電力の大幅な増大も無いC-MOSレベルシフタ回路と構造を提供する。【構成】C-MOSレベルシフタに関し、(1)C-MOS集積回路のNウェルおよびPウェルに部分的にバックゲート電圧を直流電圧またはパルス電圧で印加すること、および、(2)C-MOS集積回路のNウェルおよびPウェルを基板と分離されて形成すること、などである。Pウェルには負のバックゲート電圧VBG1をNウェルには正のバックゲート電圧VBG2をクロック電圧CLK1およびCLK2により印加するか、あるいは直流電圧を印加することにより、このC-MOSインバータのNチャネルMOSFETおよびPチャネルMOSFETのしきい電圧を正または負の方向に大きくすることができ、C-MOS集積回路の中の一部分の動作電圧を上げることができる。

Claim (excerpt)：

C-MOS集積回路のNウェルおよびPウェルに部分的にバックゲート電圧を直流電圧またはパルス電圧で印加することを特徴とするC-MOSレベルシフタ。

IPC (3)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/0185

FI (2)：

H01L 27/08 321 D ,  H03K 19/00 101 D