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J-GLOBAL ID：200903020316033489

受光素子

Inventor： 神津 岳泉
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993202885
Publication number (International publication number)：1995038136
Application date： Jul. 23, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 入射光に対する波長選択性が選定可能な受光素子を提供する。【構成】 受光素子は、p型基板1上に順次にn型エピタキシャル層2、p型拡散層3、n型拡散層4を有するので、積層状に配置された接合面から成るフォトダイオードPD1〜PD3が形成される。各接合面の受光表面からの深さが異なるので、受光表面での入射光に対する波長選択性が相互に異なる複数のフォトダイオードを有する受光素子が得られる。各ダイオードの信号電流に演算を加えて所望の波長選択性を有するフォトディテクタを得る。積層構造のフォトダイオード配置に代えて、各接合におけるバンドギャップが相互に異なる受光素子とする構成も採用できる。人間の感覚に精度よく一致する明るさ検出器が製作できる。

Claim (excerpt)：

単一の半導体バルク内に形成され、該半導体バルクの受光表面に入射する光に対する波長選択性が相互に異なる複数のpn接合から成る光電変換部と、前記pn接合を構成する各半導体層に接続された電極とを有することを特徴とする受光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭55-026467
  
• 特開昭61-187282
  
• 特開昭62-133772
  
• 特開昭63-065326