Pat

J-GLOBAL ID：200903020322431623

レジスト除去方法

Inventor： 内山 大輔 ,  野口 武史 ,  中村 貴宣
Applicant, Patent owner： ワイエイシイ株式会社
Agent (7)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002323888
Publication number (International publication number)：2004158691
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】レジストをマスクとしてイオン注入を行った際に、このイオン注入によりレジストに生じた表面硬化層等の変質層を、残渣無く除去することが可能なレジスト除去方法を提供する。【解決手段】シリコン基板4上に形成されたレジスト16をマスクとしてイオン注入を行った際に、イオン注入により生じた変質層18を含むレジスト16をシリコン基板4から除去する方法であり、アンモニアを含むプロセスガスの雰囲気中にてレジスト16にプラズマ処理を施し、変質層18を含むレジスト16を除去することを特徴とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

被処理基板上に形成された変質層を含むレジストに1つまたは複数の工程からなる除去工程を施すことにより、該レジストを前記被処理基板から除去する方法であって、 前記除去工程は、アンモニアを含むプロセスガスの雰囲気中にて前記レジストにプラズマ処理を施すプラズマ処理工程を含むことを特徴とするレジスト除去方法。

IPC (3)：

H01L21/3065 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

FI (3)：

H01L21/302 104H ,  G03F7/42 ,  H01L21/30 572A

F-Term (12)：

2H096AA25 ,  2H096LA01 ,  5F004AA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004FA02 ,  5F046MA12