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J-GLOBAL ID：200903020333868730

窒化物半導体単結晶層の成長方法

Inventor： 中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993022085
Publication number (International publication number)：1994216409
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体を利用した発光素子をダブルヘテロ構造とするため、基板上にまず結晶性に優れた四元混晶のInAlGaN単結晶層を成長する方法を提供する。【構成】 気相成長法により、基板上に一般式In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(但し、X<0<1、Y<0<1)で表される窒化物半導体単結晶層を成長させる方法であって、前記基板に、サファイアの上にGa<SB>Z</SB>Al<SB>1-Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなるバッファ層と、該バッファ層の上にGaNよりなる単結晶層とを形成した基板を使用し、該GaN単結晶層の上に前記窒化物半導体単結晶層を成長させる。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、基板上に一般式In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-X-Y</SB>N(但し、X<0<1、Y<0<1)で表される窒化物半導体単結晶層を成長させる方法であって、前記基板に、サファイアの上にGa<SB>Z</SB>Al<SB>1-Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなるバッファ層と、該バッファ層の上にGaNよりなる単結晶層とを形成した基板を使用し、該GaN単結晶層の上に前記窒化物半導体単結晶層を成長させることを特徴とする窒化物半導体単結晶層の成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-297023
  
• 特開昭62-119940
  
• 特開平3-003233