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J-GLOBAL ID：200903020334675480

化合物半導体装置の保護膜の形成方法

Inventor： 浅井 周二
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040368
Publication number (International publication number)：1993218011
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体装置の低周波における電気的特性を改善する。【構成】 化合物半導体装置を構成する化合物半導体基板を100°C以上300°C以下の温度範囲に保ちながら前記化合物半導体基板の表面をプラズマ状態のアンモニアに曝した後、前記化合物半導体基板の表面にプラズマ気相成長法により保護膜を成長するようにした。前記化合物半導体基板は、GaAs、InGaAs、AlGaAs等からなり、前記保護膜は、SiNX 、SiO2 、AlNX 、AlOX (但しXは整数)等からなる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体装置を構成する化合物半導体基板を100°C以上300°C以下の温度範囲に保ちながら前記化合物半導体基板の表面をプラズマ状態のアンモニアに曝した後、前記化合物半導体基板の表面にプラズマ気相成長法により保護膜を成長することを特徴とする化合物半導体装置の保護膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812