Pat
J-GLOBAL ID:200903020340023567

親水化処理粉体及びこれらを含有する組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002324840
Publication number (International publication number):2004155978
Application date: Nov. 08, 2002
Publication date: Jun. 03, 2004
Summary:
【課題】新規な加水分解性基を含有するポリエーテル変性シリコーンで表面処理した親水化処理粉体及びそれらを含有する組成物、さらにその水系分散物に関し、それらの化粧料への使用及び塗料、インクへの使用に関する。【解決手段】下記一般式(1)で示される加水分解性シリル基含有ポリエーテル変性シリコーンで表面処理された親水化処理粉体。R1aR2bR3cSiO(4-a-b-c)/2 (1)[但し、式中R1は炭素数1〜30の有機基、R2は下記一般式(2)で示されるポリエーテル基、-CdH2d-O-(C2H4O)e(C3H6O)fR4 (2)R3は下記一般式(3)で示される加水分解性基含有シリル基である。-CdH2d-SiR1g(OR5)3-g (3)0.5≦a≦2.5、0.1≦b≦1.5、0.01≦c≦1.5、0≦d≦15、1≦e≦50、0≦f≦50、0≦g≦2の正数である。]【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示される加水分解性シリル基含有ポリエーテル変性シリコーンで表面処理された親水化処理粉体。 R1aR2bR3cSiO(4-a-b-c)/2 (1) [但し、式中R1は炭素数1〜30のアルキル基、アリール基、アラルキル基、フッ素置換アルキル基で示される有機基から選択される同種又は異種の有機基、R2は下記一般式(2)で示されるポリエーテル基、 -CdH2d-O-(C2H4O)e(C3H6O)fR4 (2) (但し、R4は水素基又は炭素数1〜30のアルキル基である。) R3は下記一般式(3)で示される加水分解性基含有シリル基である。 -CdH2d-SiR1g(OR5)3-g (3) (ここで、R5は水素基或いは炭素数1〜6のアルキル基である。) a、b、cはそれぞれ0.5≦a≦2.5、0.1≦b≦1.5、0.01≦c≦1.5であり、d、e、fはそれぞれ0≦d≦15、1≦e≦50、0≦f≦50の正数であり、gは0≦g≦2の正数である。]
IPC (9):
C09C3/12 ,  A61K7/02 ,  C08J3/12 ,  C09C1/04 ,  C09C1/36 ,  C09C1/42 ,  C09D7/12 ,  C09D11/00 ,  C09D201/00
FI (9):
C09C3/12 ,  A61K7/02 P ,  C08J3/12 ,  C09C1/04 ,  C09C1/36 ,  C09C1/42 ,  C09D7/12 ,  C09D11/00 ,  C09D201/00
F-Term (124):
4C083AA08 ,  4C083AA12 ,  4C083AB102 ,  4C083AB172 ,  4C083AB21 ,  4C083AB211 ,  4C083AB232 ,  4C083AB24 ,  4C083AB241 ,  4C083AB33 ,  4C083AB362 ,  4C083AB43 ,  4C083AB431 ,  4C083AB44 ,  4C083AB441 ,  4C083AC022 ,  4C083AC07 ,  4C083AC072 ,  4C083AC10 ,  4C083AC12 ,  4C083AC18 ,  4C083AC211 ,  4C083AC24 ,  4C083AC302 ,  4C083AC31 ,  4C083AC312 ,  4C083AC342 ,  4C083AC35 ,  4C083AC42 ,  4C083AC44 ,  4C083AC52 ,  4C083AC54 ,  4C083AC542 ,  4C083AC551 ,  4C083AC581 ,  4C083AC582 ,  4C083AC691 ,  4C083AC782 ,  4C083AC812 ,  4C083AD072 ,  4C083AD09 ,  4C083AD092 ,  4C083AD11 ,  4C083AD152 ,  4C083AD16 ,  4C083AD17 ,  4C083AD22 ,  4C083AD332 ,  4C083AD342 ,  4C083AD572 ,  4C083AD642 ,  4C083AD662 ,  4C083BB25 ,  4C083CC04 ,  4C083CC05 ,  4C083CC11 ,  4C083CC12 ,  4C083CC13 ,  4C083CC14 ,  4C083CC17 ,  4C083CC33 ,  4C083DD23 ,  4C083DD31 ,  4C083DD32 ,  4C083DD33 ,  4C083DD34 ,  4C083DD41 ,  4C083EE06 ,  4C083EE07 ,  4C083EE17 ,  4C083EE18 ,  4C083FF01 ,  4F070AA02 ,  4F070AA13 ,  4F070AA15 ,  4F070AA18 ,  4F070AA23 ,  4F070AA32 ,  4F070AA44 ,  4F070AA45 ,  4F070AA46 ,  4F070AA47 ,  4F070AA50 ,  4F070AA53 ,  4F070AA54 ,  4F070AA59 ,  4F070AA60 ,  4F070AA61 ,  4F070AA62 ,  4F070AC92 ,  4F070DA06 ,  4F070DB03 ,  4F070DC02 ,  4F070DC16 ,  4J037AA11 ,  4J037AA22 ,  4J037AA27 ,  4J037CA08 ,  4J037CB04 ,  4J037CC25 ,  4J037CC28 ,  4J037DD11 ,  4J037EE02 ,  4J037EE28 ,  4J037EE43 ,  4J038DF022 ,  4J038GA15 ,  4J038HA216 ,  4J038HA546 ,  4J038HA556 ,  4J038KA08 ,  4J038KA14 ,  4J038KA20 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038NA06 ,  4J038NA26 ,  4J039AE07 ,  4J039AE11 ,  4J039BA13 ,  4J039BA23 ,  4J039BA31 ,  4J039BA35 ,  4J039EA44
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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