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J-GLOBAL ID：200903020342546982

半導体装置

Inventor： 麻埜 和則 ,  石倉 幸治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997267750
Publication number (International publication number)：1999087367
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体トランジスタの発熱領域内の温度分布を均一化し、領域内の局所的な高温部位からの熱劣化を防ぐ半導体装置の提供。【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電界効果型トランジスタ単位フィンガーを並列に並べて構成された半導体装置において、前記各電極フィンガーに垂直な方向に並列に複数本形成され、且つ、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続した放熱用ストライプ電極を有し、前記放熱用ストライプ電極の間隔がゲート電極フィンガー中心部で狭く、端部に向かうほど広く形成される。そして、ドレイン電極またはソース電極の幅が、能動領域中央部で最も幅広となるように形成される。

Claim (excerpt)：

ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電界効果型トランジスタ単位フィンガーを並列に並べて構成された半導体装置において、前記ドレイン電極及び前記ソースの電極の幅がフィンガー中央部で広く、端部で細くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/58 ,  H01L 23/34 ,  H01L 29/41

FI (4)：

H01L 29/80 L ,  H01L 21/58 ,  H01L 23/34 A ,  H01L 29/44 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-097705   Applicant：株式会社村田製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-004776   Applicant：日本電気株式会社