半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994325180
Publication number (International publication number)：1996181311
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体基板内に形成した基板と反対の導電型の不純物領域について、基板あるいは不純物領域の電位を変化させた場合に、微細化をはかりつつも不純物領域と基板間に形成されるP-N接合リーク電流及びその変化量を低減する。【構成】 P型基板内のN型不純物領域の不純物濃度分布5状態が、不純物領域内部では緩やかな濃度変化6とし、且つ、P型基板の濃度分布4とN型不純物の濃度分布5間で形成されるN-P接合8近傍では急峻な濃度変化7となるようにすることにより、P-N接合リーク電流及びその変化量を低減することができる、N型の不純物領域を備えた半導体装置である。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板内の所定の位置に、前記半導体基板とP-N接合を型成しかつ前記P-N接合付近では濃度分布が急峻に変化し前記P-N接合より離れた領域内部では緩やかな濃度分布である他導電型の不純物領域を備えた半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平4-085926
特開平4-212418
特開平4-000715

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Cited by examiner (12)

特開平4-085926
特開平4-085926
特開平4-212418

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