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J-GLOBAL ID：200903020379609470

保守時期検知装置

Inventor： 川下 剛
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 油井 透 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997159761
Publication number (International publication number)：1999008197
Application date： Jun. 17, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 薄膜形成室の内壁等に付着した生成物の厚さを正確に検出することができるようにすることにより、クリーニング時間を短縮することができるようにする。【解決手段】 保守時期検知動作においては、制御部16は、まず、膜厚の累積加算値を0に設定した後、膜厚センサ14を使って成膜前の膜厚を検出する。薄膜形成処理が終了すると、制御部16は、膜厚センサ14を使って成膜後の膜厚を検出した後、この膜厚から成膜前の膜厚を引くことにより、今回の薄膜形成処理により形成された薄膜の厚さを検出する。次に、制御部16は、この膜厚を前回までの膜厚の累積加算値に加算した後、この累積加算値としきい値とを比較することにより、反応室の保守時期に達したか否かを判定し、達していれば、その旨を操作部15を介して作業者に報告し、達していなければ、次の薄膜形成サイクルで再び同じ処理を実行する。

Claim (excerpt)：

基板の表面に薄膜を形成するための薄膜形成室の保守時期を検知する保守時期検知装置において、前記基板の表面に前記薄膜を形成する薄膜形成処理が実行されるたびに、この薄膜形成処理によって形成された前記薄膜の厚さを検出する膜厚検出手段と、この膜厚検出手段により検出された複数の膜厚を累積加算する累積加算手段と、この累積加算手段の累積加算値と予め定めたしきい値とを比較することにより、前記薄膜形成室の保守時期を検知する保守時期検知手段とを備えたことを特徴とする保守時期検知装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-259083   Applicant：三菱電機株式会社
• 気相成長装置を用いたシリコン成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-197916   Applicant：ソニー株式会社