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J-GLOBAL ID：200903020385709826

原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法

Inventor： ウォルター エル.ブラウン ,  サングホ ジン ,  ウェイ ズヒュー
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000325116
Publication number (International publication number)：2001177052
Application date： Oct. 25, 2000
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 各回路基盤の原位置でナノワイヤを成長形成して、各回路基盤上のナノワイヤが相互接続された構造を創出し、原位置で相互接続を行う方法を提供する。【解決手段】 平行な2つの回路基板10,10′を一定の間gを空け、接触パッド12a,12a′及び12b,12b′が対向するよう配置してナノワイヤ14を選択的に成長させる触媒核形成層26をパッド表面に設ける。ナノワイヤ14は互に対向する側に成長し原位置での相互接続を達成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1の回路基盤と第2の回路基盤と、それらの間に配置された複数の実質的に平行なナノワイヤとを含む相互接続された回路装置を製造する方法であって、少なくとも前記第1の回路基盤と第2の回路基盤を間隔を空けた実質的に平行な関係で整列して、それらの間に隙間を画定するステップと、少なくとも前記第1の回路基盤上に触媒核形成層を堆積するステップと、少なくとも前記第1の回路基盤上に、前記触媒核形成層から前記複数のナノワイヤを成長形成するステップと、前記成長形成したナノワイヤを前記第2の回路基盤に接続して、相互接続された回路装置を提供するステップとを含む方法。

IPC (4)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/52

FI (2)：

H01L 25/08 B ,  H01L 23/52 C