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J-GLOBAL ID：200903020404321974

直接描画方法

Inventor： 恩田 一 ,  石田 敏治 ,  杉原 興浩
Applicant, Patent owner： エヌティエヌ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996132258
Publication number (International publication number)：1997318831
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 工程を簡略化して光学素子の形成が可能な直接描画方法を提供する。【解決手段】 基板1上にクラッド層2を形成し、さらにその上にコア層3としてフォトポリマを使用し、これにレーザ光5を直接照射することにより、この部分の高分子材料の重合が進み、屈折率が上昇し、レーザ照射部分が高屈折率となって光導波路となり、これにオーバクラッド層6を形成して光導波路を形成する。

Claim (excerpt)：

光学部品の屈折パターンのデータに基づきレーザ光源と光学材料とを相対的に移動させ、かつレーザの出力を制御して前記レーザ光源からのレーザ光を前記光学材料に直接描画して光学部品を形成することを特徴とする、直接描画方法。