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J-GLOBAL ID：200903020425909858

多結晶薄膜の製造方法

Inventor： 飯島 康裕 ,  保坂 真理子 ,  定方 伸行 ,  斉藤 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996272606
Publication number (International publication number)：1998121238
Application date： Oct. 15, 1996
Publication date： May. 12, 1998
Summary：

【要約】【課題】 イオンソースから発生するイオンビームの広がり角度を制御し、結晶配向制御効果を向上させることができる多結晶薄膜の製造方法の提供。【解決手段】 真空排気可能な成膜処理容器内に設けたターゲットの構成粒子をスパッタリングにより叩き出して基材22上に堆積させる際に、イオンソース39から発生させたイオンビームを基材22の成膜面の法線Hに対して入射角度50〜60度で照射しつつ堆積させ、基材22上に多結晶薄膜を成膜する方法において、下記式(I)Δθ≦2tan-1(d/2L) ・・・(I)により計算されるイオンビームの広がり角度Δθを前記イオンソース39のビーム口径dとイオンビームの搬送距離(ビーム口49と基材22との距離Lを変更することにより制御することを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

真空排気可能な成膜処理容器内に設けたターゲットの構成粒子をスパッタリングにより叩き出して基材上に堆積させる際に、イオンソースから発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して入射角度50〜60度で照射しつつ堆積させ、基材上に多結晶薄膜を成膜する方法において、下記式(I)Δθ≦2tan-1(d/2L) ・・・(I)(式中、Δθはイオンビームの広がり角度、dはイオンソースのビーム口径(cm)、Lはイオンソースのビーム口と基材との距離であるイオンビームの搬送距離(cm)を表す。)により計算されるイオンビームの広がり角度を、前記イオンソースのビーム口径とイオンビームの搬送距離を変更することにより制御することを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。

IPC (5)：

C23C 14/46 ZAA ,  C23C 14/54 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (5)：

C23C 14/46 ZAA B ,  C23C 14/54 C ,  C30B 29/22 501 E ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D