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J-GLOBAL ID：200903020427428130

マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： 古瀬 宗雄 ,  渡辺 成一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992249589
Publication number (International publication number)：1994104210
Application date： Sep. 18, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高密度プラズマを生成し、エッチング等の処理を均一にすることができ、さらにプラズマ処理速度を増加させることができる、マイクロ波プラズマ処理装置を提供することにある。【構成】マイクロ波プラズマ処理装置において、処理室10内に誘電体15を設けた。あるいは、処理室10内を分割することを可能とするように、処理室10内に誘電体15を設けた。【効果】試料17にエッチング等の処理を行う際、試料近傍のラジカル密度はほぼ均一かつ高密度であるため、均一かつ高速でエッチング等の処理を行うことが可能となる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を利用したプラズマ発生装置と、減圧可能な処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給装置と、真空排気装置より成るプラズマ処理装置において、生成したプラズマを利用して試料を処理する処理室内に、誘電体を配置したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00