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J-GLOBAL ID：200903020439113959

オーム性接合電極およびその形成方法

Inventor： 荻野 慎次
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079919
Publication number (International publication number)：1994291078
Application date： Apr. 07, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】p形ダイヤモンドとの界面での炭化物の形成が酸素によって阻害されないで、良好な低抵抗接触を示すオーム性接合電極を提供する。【構成】含有量が15〜50原子%のチタンあるいはタンタルと金あるいは白金との合金を蒸着し、アニールして電極を形成する。

Claim (excerpt)：

合金元素としてチタンを15〜50原子%含む金からなることを特徴とするp形ダイヤモンド薄膜へのオーム性接合電極。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28